AO3400-ASEMI低功耗长效应管AO3400

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AO3400-ASEMI低功耗长效应管AO3400

型号:AO3400

品牌:ASEMI

封装:SOT-23

电性参数5.8A 30V

正向电流:5.8A

反向耐压:30V

恢复时间:

引脚数量:3

芯片个数:1

芯片尺寸:

封装尺寸:如图

特性:场效应管

浪涌电流:

工作温度:-55℃~+150℃

场效应管原理:

场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。


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