20N20-ASEMI场效应mos管20N20
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20N20-ASEMI场效应mos管20N20
型号：20N20
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
电性参数20A 200V
正向电流：20A
反向耐压：200V
恢复时间：
引脚数量：3
芯片个数：1
芯片尺寸：
封装尺寸：如图
特性：场效应管
浪涌电流：
工作温度：-55℃~+150℃
场效应管原理：
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
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