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    电子信息技术是当今世界最活跃的生产力，电子信息技术的核心是半导体材料。化合物半导体微结构材料的产生与发展，是电子信息技术领域的一场革命，在理论上，引入了全新的思想和设计，在实践上，由于其展示的优异的电学、光学和磁学等性能，将半导体和集成电路推向更高的频率、更快的速度、更低的噪音和更大的功率。半导体微结构材料技术的发展状况是衡量一个国家电子信息技术发展水平的重要标志。发展半导体微结构材料技术对实现我国科学技术现代化、国防现代化和发展国民经济具有深远的意义。
    MO源即高纯金属有机化合物是先进的金属有机化学气相沉积（简称MOCVD）、金属有机分子束外延（简称MOMBE）等技术生长半导体微结构材料的支撑材料。 由于MO源产品要求纯度极高，而绝大多数MO源化合物对氧气、水汽极其敏感，遇空气可发生自燃，遇水可发生爆炸，且毒性大，所以MO源的研制是集极端条件下的合成制备、超纯纯化、超纯分析、超纯灌装等于一体的高新技术。 本公司研发二十个MO源的主要品种，纯度在99.9998% (5.8N) ~ 99.995% (4.5N) 之间，其中已有十二个品种通过了{gjj}的鉴定或验收，其总体质量已处于世界同类产品先进水平，部分产品的质量达到{sjlx}水平。MO源专用实验室，其中有120m2的超净室，用于MO源产品的超纯纯化、超净样品处理、超净清洗及产品灌装。自行设计和监制了MO源合成和纯化专用设备¾¾无氧无水惰性气体操作箱。设计并监制了性能优越的高纯MO源封装容器。确立了MO源电感偶合等离子体原子发射光谱（ICP—AES）分析法，把分析杂质元素由国家规定的3～5种，扩展到30种左右。配位化学纯化MO源方法的应用，使MO源纯度提高到了新的水平。
    南京大学是目前我国MO源研究和研制的主要基地，先后承担了“七五”、“八五”、“九五”、“十五”期间国家“863”高技术发展计划项目、“七五”、“八五”xxxx科技项目等多项MO源研制的{gjj}研究任务。
    经过十多年的拼搏，在MO源的合成方法、纯化技术、分析方法及灌装技术等方面都取得了可贵的经验，锻炼出一支训练有素的专业研究队伍。研制开发出20多种国内迫切需要的MO源品种，纯度在99.999%—99.9999%，大部分MO源品种已经通过了{gjj}的鉴定或验收；先后建成了多个MO源专用实验室，包括用于超纯纯化、超净样品处理、超净清洗、产品灌装及超纯分析等的超净室；自行设计和监制了MO源合成和纯化专用设备——无氧无水惰性气氛操作箱；设计并监制了性能优越的高纯MO源封装容器。
    南京大学的MO源研制从产品的合成工艺、纯化技术、测试方法到封装容器，在国内处于{lx1}地位，已达到国际先进水平。研究中心及有关课题的负责人，多次受到国家和省部级的奖励。鉴于南京大学在MO源研制方面取得的出色成绩，原国家科委于1997年正式批准在南京大学设立MO源研究开发的国家基地，即“国家863计划新材料MO源研究开发中心”。
    国家863计划新材料MO源研究开发中心竭诚以{zx1}的研究成果、{zy}质的产品回报社会、服务用户，为我国光电子事业发展做出贡献。
    七五期间（86—90）
    （1）高纯金属有机化合物（MO源）——三甲基镓（5.0N）、三甲基铝（5.0N）、三乙基铝（5.0N）的研制（“七五”xxxx科技攻关项目）
    （2）高纯金属有机化合物三甲基铟（5.0N）、二乙基锌（5.0N）、三甲基锑（5.0N）的研制
      八五期间（91—95）
     （1）高纯金属有机化合物二乙基碲（5.5N）的研制
     （2）高纯金属有机化合物二甲基镉（5.5N）的研制
     （3）金属有机化合物——三甲基铝（5.5N）、三甲基镓（5.5N）的研制（“八五”xxxx科技攻关项目）
     （4）MO源新品种的研究和开发——三乙基镓（5.5N）、二甲基乙基铟（5.5N）、叔丁基膦（5.0N）、叔丁基胂（5.0N）（863-715-01-01-02）
       九五期间（96—2000）
     （1）123、052功臣用二异丙基碲与二甲基镉的研制（国家教育部1996-1999）
     （2）“区域电子战”用亚微米级硅芯片高纯液态源及二甲基二茂镁的研制（国家教育部1998-2001）
     （3）MO源的研究和开发（863，1996-2000）
       十五期间（01—05）
     （1）新型MO源研制及工艺研究（863，2001-2003）
     （2）新型MO源研制及工艺研究（863，2003-2004）
     （3）光纤用高纯四氯化锗研制（省科技厅，2003-2005）
主要MO源品种
名称 分子式 缩写 纯度(%)
三甲基镓 (CH3)3Ga TMGa 99.9999
三乙基镓 (C2H5)3Ga TEGa 99.9998
三甲基铟 (CH3)3In TMIn 99.9999
三乙基铟 (C2H5)3In TEIn 99.9998
二甲基乙基铟 (CH3)2InC2H5 EDMIn 99.9998
溶液三甲基铟 (CH3)3In TMIn 99.9999
三甲基铝 (CH3)3Al TMAl 99.9999
三乙基铝 (C2H5)3Al TEAl 99.9995
二甲基乙基胺配铝烷 AlH3·(NMe2Et) DMEAAl 99.9999
二茂镁 (C5H5)2Mg Cp2Mg 99.9998
二甲基二茂镁 (CH3C5H4)2Mg (MCp)2Mg 99.9998
溶液二甲基二茂镁 (CH3C5H4)2Mg (MCp)2Mg 99.9998
二甲基锌 (CH3)2Zn DMZn 99.9998
二乙基锌 (C2H5)2Zn DEZn 99.9998
二甲基镉 (CH3)2Cd DMCd 99.9998
三甲基锑 (CH3)3Sb TMSb 99.9995
二乙基碲 (C2H5)2Te DETe 99.9998
二异丙基碲 [(CH3)2CH]2Te DIPTe 99.9998
一甲基肼 CH3NHNH2  MMHy 99.9998
一乙基肼 C2H5NHNH2 MEHy 99.9998
1，1－二甲基肼 (CH3)2NNH2  DMHy 99.9998
叔丁基膦 (CH3)3CPH2  TBP 99.9998
叔丁基胂 (CH3)3CAsH2  TBAs 99.9998