INFINEON/英飞凌IC电子料回收
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同上1558 同步同号
三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。
东芝(toshiba)以2009年开发的bics—3d nand flash技术,从2014年季起开始小量试产,目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路,东芝与新帝(sandisk)合资的日本三重县四日市晶圆厂,期工程扩建计划预计2014年q3完工,q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光(micron)、英特尔(intel)阵营,也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ,计划于2014年q2送样测试,快于年底量产。
由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升,要比以往2d平面nand flash需要更长时间,且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时,故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主,对整个移动设备与储存市场上的替代效应,在明年底以前应该还看不到。
移动设备的快闪存储器容量、速率进展
移动设备所需要的gb储存容量,据估计每部手机搭配的nand flash容量,将从2012年5.5gb增加到2015年的25.1gb;每部平板电脑搭配nand flash容量,从28.7gb增加到2015年的96.1gb。
emmc(embedded multimedia card)是jedec协的储存媒体规范,其藉由将mmc controller跟nand flash封装成一颗芯片的方式,移动设备无须顾虑着nand flash制程与规格的改变,与新世代nand flash搭配的快闪存储器控制芯片与韧体的搭配,进而简化体积与电路设计。2013年有4.5亿部移动设备均使用emmc。
而universal flash storage(ufs)将以往emmc安、低功耗、小尺寸封装的应用, 目前ssd所使用到的高速串列介面技术,目前ufs 1.1规格传输速率达到3gbps,未来ufs 2.0将可进一步达到6gbps。因ufs跟既有的emmc介面迥然不同也无法相容,相关产业供应链尚未齐,整个产业 尚未建立,ufs产品预估2014年才有小量产品出现在市面上,且因成本因素会瞄准在市场,ufs与emmc两者届时会并存在市场上一阵子。
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