25N120-ASEMI(MOS管)大功率场效应管
编辑：LL
ASEMI品牌 25N120 MOS场效应晶体管 插件封装 MOSFET
型号：25N120
封装：TO-247/3P
漏极电流（VDS）：25A
漏源电压（ID）：1200V
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管/MOSFET
品牌：ASEMI
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
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