9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80
9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140 结构：NPN 集电极-发射极电压 30V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.03A 耗散功率 0.4W 结温 150℃ 特怔频率 平均 370MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP 集电极-发射极电压 -30V 集电极-基电压 -40V 射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温 150℃ 特怔频率 最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN 集电极-发射极电压 25V 集电极-基电压 45V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温 150℃ 特怔频率 最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9014 结构：NPN 集电极-发射极电压 45V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.4W 结温 150℃ 特怔频率 最小 150MHZ 放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP 集电极-发射极电压 -45V 集电极-基电压 -50V 射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.45W 结温 150℃ 特怔频率 平均 300MHZ 放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN 集电极-发射极电压 20V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.025A 耗散功率 0.4W 结温 150℃ 特怔频率 平均 620MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN 集电极-发射极电压 15V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.05A 耗散功率 0.4W 结温 150℃ 特怔频率 平均 620MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管8550 8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管 集电极-基极电压Vcbo：-40V 工作温度：-55℃ to +150℃ 和8050（NPN）相对 主要用途： 开关应用，射频放大 三极管8050 8050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。 <8050管脚图>
回答人的补充 2009-09-13 10:47
电子制作中常用的三极管有90××系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31（低频小功率锗管）等，它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则，电子爱好者{zh0}还是了解一下：
{dy}部分的3表示为三极管。第二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 第三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。 三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。 三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。 |
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