《电工学简明教程》机电一体化复习资料（二）

2008-07-05 11:12:55

一，判断题
     1．Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。（ ）
     2，当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。（ ）
     3．若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。（ ）
     4．当反向电压小平反向击穿电压时，晶体二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。（ ）
     5．当输入信号为零时，输出功率也为零，电源供给电路的功率最小，因此这时单管功率放大器的效率{zg}。( )
     ６．当单级放大器的静态工作点过高时，根据Ｉb＝Ｉc／β，可选用β大的晶体三极管来减小Ib。( )
     7．同晶体三极管一样，场效应晶体管也是电流控制元件。( )
     8．利用微变等效电路，不能分析直流工作状态，也不能分析功率放大器的工作情况。（ ）
     9．注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小差动式直流放大器的零点漂移。（ ）
     10．差动式直流放大器的差动放大倍数愈大，共模抑制比愈小，则其性能愈好。（ ）
     11．差动式直流放大器有四种接法，输出电阻只取决于输出端的接法，而与输入端的接法无关。（ ）
     12．同相运算放大器属于电压串联负反馈放大器。（ ）
     13．在单相桥式整流电路中，uo=０.９u２。（ ）
     1４．流经桥式整流电路中的整流晶体二极管的平均电流是负载电流的一半。（ ）
     15．当负载和输出直流电压相同时，采用桥式整流电路时，对整流晶体二极管反向耐压的要求比在采用全波整流电路时低。（ ）
     16．电容滤波电路适用于负载电流较大且经常变化的场合。（ ）
     17．Ａ＋１＝Ａ（ ）
     18．反相器在基极通过Ｒb加有负电源一Ｅb，该电源除可使晶体三极管可靠地截止外，还可以提高抗干扰能力。（ ）
     19．由三个开关串联起来控制一只电灯时，电灯的亮暗同三个开关的闭合、断开之间的对应关系属于“或”的逻辑关系。（ ）
     2０．“或”逻辑的定义是；只有当条件Ａ和条件Ｂ都得到满足时，结果才能出现。（ ）
     21有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为一9V、－６Ｖ和一６.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗 ＰＮＰ管。（ ）
     2２．晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。（ ）
     2３．因为晶体三发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以不能用两个晶体二极管反向连接起来代替晶体三极管。（ ）
     2４．晶体三极管相当于两个反向连接的晶体二极管，所以基极断开后还可以作为晶体二极管使用。（ ）
     2５．晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。 （ ）
     2６．Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。（ ）
     2７．Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。（ ）
     2８．晶体Ｈ极管是根据ＰＮ给单向导电的特性制成的，因此晶体二极管也具有单向导电性。（ ）
      2９．当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。（ ）
     3０．当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。（ ）
     3１．若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。（ ）
     3２．发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。（ ）
     3３．空穴和电子一样，都是载流子。（ ）
     3４．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（ ）
      35 ．一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。（ ）
     3６．常温下，硅晶体三极管的 Ｕbe＝ ０．７ Ｖ，且随温度升高Ｕbe也增加。（ ）
     37．用万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体一极管的正向电阻，那么，和标有“＋”号的测试棒相连接的是晶体二极管的正极，另一端是负极。（ ）
     ３8．Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（ ）
      39．Ｐ型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。（ ）
     40．在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。（ ）
     41．在Ｐ型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（ ）
     42．当外加反向电压增加时，ＰＮ结的结电容减少。（ ）
     43．一般来说，硅晶体二极管的死区电压。小于诸晶体二极管的死区电压。（ ）
     44．晶体三极管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流．（ ）
     ４5．当外加电压为零时，ＰＮ结的电容最小。（ ）
     46 ．当反向电压小平反向击穿电压时，晶体二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。（ ）
     47．晶体二极管击穿后立即烧毁。：（ ）
     48．特定的晶体三极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而改变。（ ）
     49．特定的晶体三极管，如环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。（ ）
     50．当晶体三极管的工作电流小于集电极{zd0}允许电流，且Uce小于ＢＶceo时，晶体三极管就能安全工作。（ ）
     二、选择题
     1．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（ ）。
     ａ．正常; ｂ．已被击穿; ｃ．内部断路
     ２．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将 （ ）。
     ａ．增大； ｂ．减小； ｃ．不变
     3．当硅晶体Ｈ极管加上０.４ｙ正向电压时，该晶体Ｈ极管相当于（ ）．
     ａ．很小的电阻；Ｌ．很大的电阻；ｃ．短路
     4．在ＮＰＮ型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（ ）。
     ａ．晶体三极管将深度饱和；b．晶体三极管将截止；ｃ．晶体三极管的集电结将是正偏。
     5．在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（ ）。
     ａ．集电极电压Uce上升；ｂ．集电极电压Uce下降； Ｃ．基极电流不变
     6．计算场效应晶体管多级放大器时，对前后级的影响( )
     ａ．不必考虑；ｂ．应考虑；ｃ．应考虑输出阻抗的影响，而不必考虑输入阻抗的影响。
     7．差动式直流放大器与直耦式直流放大器相比，其主要优点在于（ ）。
     ａ．有效地抑制零点漂移；　ｂ．放大倍数增加；　ｃ．输入阻抗增加
     8．在典型的差动式直流放大器中，ＲE的作用是（ ）。
     ａ．对差模信号构成负反馈以提高放大器的稳定性； b．对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力； c．ａ和ｂ
     9．直接耦合放大器中，为了保证静态时输入端和输出端的工作电位为零电位，往往采用（ ）。
     a．正负两级电源供电； ｂ．电位移动电路； ｃ． ａ及ｂ
     １0．在单相半波整流电路中，如果电源变压器二次电压为１００Ｖ，则负载电压将是（ ）。
     ａ．100ｖ ｂ．４５Ｖ； ｃ．９０Ｖ
     11．有两个２ＣＷ１５稳压二极管，一个稳压值是８Ｖ，另一个稳压值为７．５Ｖ，若把它们用不同的方式组合起来，可组成（ ）种不同稳压值的稳压管．
     ａ．１；　　ｂ．２；　　 ｃ．５
     12．交流电通过单相整流电路后，所得到的输出电压是（）。
     ａ．交流电压；ｂ．稳定的直流电计；Ｃ．脉动直流电
     三、填空题
     1．Ｎ型半导体主要靠电子来导电，Ｐ型半导体主要靠 来导电。
     2．晶体二极管按所用的材料可分为 和， 两类，按ＰＮ结的结构特点可分为
和 两种。
     ３．表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有 、 和 ；
     4．为了有效地抑制零点漂移，多级直流放大器的{dy}级，均采用 电路。
     5．差动式直流放大器的两种输入方式为 和 。
     6．在调制型直流放大器中，调制器的任务是 。
     7．将交流电转换为直流电的过程称为 。
     8．采用电感滤波时，电感必须与负载 ，它常用于 的情况。
     9．逻辑函数的两种最基本的表示形式是 和 。
     10．在负逻辑中，高电平表示 ；低电平表示 。
     １１．以晶体三极管基极正向驱动电流越大，基区电荷积累超快，tｒ就 。
     １2．当 ＰＮ结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （ ）。
     ａ．多数载流子; ｂ．少数载流子; ｃ．既有多数载流子又有少数载流子
     13．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（ ）。
     ａ．正常;ｂ．已被击穿; Ｃ．内部断路
     14．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（ ）。
     ａ．正常; ｂ．已被击穿; ｃ．内部断路
     15．当晶体三极管的两个ＰＮ结都反偏时，则晶体三极管处于（ ）。
     ａ．饱和状态;ｂ．放大状态;ｃ．截止状态
     16．当晶体三极管的两个ＰＮ结都正偏时，则晶体三极管处于（ ）。
     ａ．截止状态;ｂ．放大状态;ｃ．饱和状态
     17．当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（ ）。
     ａ．放大状态; b．饱和状态；ｃ．截止状态
     18．晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将 （ ）。
     ａ．随基极电流的增加而增加； ｂ．随基极电流的增加而减小，Ｃ．与基极电流变化无关，只决定于Uce
     19．当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（ ）。
     ａ．反向；ｂ．增大；Ｃ．中断
     20．当温度升高时，半导体电阻将（ ）。
     ａ．增大； ｂ，减小 ；ｃ．不变
     2１．晶体二极管的阳极电位是—２０V，阴极电位是—１０V，则该晶体二极管处于（ ）。
     ａ．反偏，ｂ．正偏，ｃ．零偏
     2２．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将 （ ）。
     ａ．增大； ｂ．减小； ｃ．不变
     2３．在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于 （ ）。
     ａ．大电阻；ｂ．接通的开关；Ｃ．断开的开关
     24．用直流电压表测量ＮＰＮ型晶体三极管电路，晶体三极管各电极对地电位是： Ｕb＝ ４． ７ V， Ｕc＝ ４．３ V， Ｕe=４Ｖ（图１－７），则该晶体三极管的工作状态是（ ）。
     ａ．截止状态；ｂ．饱和状态; C放大状态
     25．点接触型晶体二极管比较适用于（ ）。
     ａ.大功率整流；ｂ．小信号检波；ｃ．小电流开关
     ２6．面接触型晶体Ｔｈ极管比较适用于（ ）。
      ａ．高频检波;ｂ．大功率整流;Ｃ．大电流开关
     27．用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的特性好坏时，应把欧姆档拨到（ ）。
     ａ． Ｒ·Ｘ １００Ω或 Ｒ Ｘ ＩｋΩ档； ｂ．Ｒ ＸＩΩ档；
     ｃ． Ｒ ｘ １０kΩ档
     28．半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为（ ）半导体。
     a．Ｎ型；ｂ．Ｐ型；Ｃ．本征
     29．当硅晶体Ｈ极管加上０.４ｙ正向电压时，该晶体Ｈ极管相当于（ ）．
     ａ．很小的电阻；Ｌ．很大的电阻；ｃ．短路
     30．晶体二极管因所加反向电压大而击穿、烧毁的现象称为（ ）。
     ａ．齐纳击穿；ｂ．雪崩击穿；ｃ．热击穿