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红外热成像仪术参数_optotherm热射显微镜系统-立特为智能话：15219504346 （温先）

关键词：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的应非常广泛，去封装的芯片，未去封装的芯片，容，FPC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,这也就让你可以在样品的不同阶段都可以使thermal术进，如下图示例，样品路板漏定位到某QFN封装器件漏，将该器件拆下后现漏善，该器件焊引线来，未封定位为某引脚，封后针再做，进一步确认为晶圆某引线位置漏导致，如有需要可接着做SEM,FIB等。

未封器件

封器件

2. 它能测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏，低阻抗短路，ES击伤，闩效应点，属层部短路等等，而容的漏和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能够xx定位

lock-in相

封芯片漏

GAN-SIC器件

3，它是无损：为日常的失效，往往样品量稀少，这就要求失效术{zh0}是无损的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，虽然测能测存在缺陷，但是具体缺陷位置，市的无损如XRAY或超声波，却很难进定位，只能通过样品进破坏性切片，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 术，你需要的只是给样品，就可以述两种缺陷进定位

FPC缺陷

容缺陷

4,相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相术，将温度分辨率高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以测uA级漏流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点测法（0.1℃分辨率，mA级漏流热点）

5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，了一种速测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示缺陷的位置，在半导体领域

在集成路操期间，内部结加热导致接处的热量集中。器件中的峰值温度处于接处本身，并且热从接部向外传导到封装中。因此，器件操期间的xx结温测量是热表征的组成部分。

芯片附着缺陷可能是由于诸如不充分或污染的芯片附着材料，分层或空隙等原因引起的。Sentris热工具（如 图像序列）可于评估样品由内到外的热量传递过程，以便确定管芯接的完整性。

OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统为一台专为缺陷定位的系统，专为子产品FA设计，通过特别的LOCK-IN术，使LWIR镜头，仍能将将温度分辨率升到0.001℃（1mK），同时光学分辨率{zg}达到5um,尤其其系统经过多年的优化，具有非常易和实，以下是OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统过程的说明视频

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)为Optotherm公司中国表（独理），在深圳设立optotherm红外热应实验室，负责该设备的演示和售，如有相关应，可免费评估测试。

深圳市立特为智能有限公司LEADERWE立为括立为智能国际有限公司和深圳市立特为智能有限公司，是一专子、材料等领域及检测设备的综应商！

LEADERWE 立为拥有一批有着丰富经验的售人员以及专的人员，不仅为您xx实的设备，更能为您完整的方及相应的应术支持。

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xx适的设备，前沿{lx1}的术，高效热的，LEADERWE 立为努力成为广大客户最赖的科学设备应商，愿与我们的应商及客户共谋展、共同迎接机遇与挑战。

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热射显微镜系统(Thermal Emission microscopy system)，是半导体失效和缺陷定位的常的三大手段之一（EMMI,THERMAL,OBIRCH）,是通过接收故障点产的热辐射异常来定位故障点(热点/Hot Spot)位置。

而OPTOTHERM Sentris 热射显微镜系统,标配LOCK IN THERMOGRAPHY相热成像术，将相术和热成像术有机结，获得超过1mk以的温度分辨率，uA级漏流或微短路等导致的缺陷，了非常好的解决方。

Thermal EMMI 在子及半导体应，专一刀士有动的描述，thermal 的应
1. 它的应非常广泛，去封装的芯片，未去封装的芯片，容，FPC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,这也就让你可以在样品的不同阶段都可以使thermal术进，如下图示例，样品路板漏定位到某QFN封装器件漏，将该器件拆下后现漏善，该器件焊引线来，未封定位为某引脚，封后针再做，进一步确认为晶圆某引线位置漏导致，如有需要可接着做SEM,FIB等。
2. 它能测的半导体缺陷也非常广泛，微安级漏，低阻抗短路，ES击伤，闩效应点，属层部短路等等，而容的漏和短路点定位，FPC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能够xx定位
3，它是无损：为日常的失效，往往样品量稀少，这就要求失效术{zh0}是无损的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，虽然测能测存在缺陷，但是具体缺陷位置，市的无损如XRAY或超声波，却很难进定位，只能通过样品进破坏性切片，且只能随机挑选位置，而通过Thermal 术，你需要的只是给样品，就可以述两种缺陷进定位
4,相热成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相术，将温度分辨率高到0.001℃，5um分辨率镜头，可以测uA级漏流和微短路缺陷，远由于传统热成像及液晶热点测法（0.1℃分辨率，mA级漏流热点）
5，系统能够测量芯片等微观器件的温度分布，了一种速测热点和热梯度的有效手段，热分布不仅能显示缺陷的位置，在半导体领域