可控硅模块过载保护您知道吗?
是一种大功率电器元件，也称晶闸管模块。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。昆二晶整流器的可控模块在整流中得到了广泛的应用。
可控硅模块优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作需有条件：
(1)可控硅模块外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用;
(2)可控硅模块的通态平均电流从安全角度考虑一般按{zd0}电流的1.5～2倍来取;
(3)为保证可控硅模块控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅模块电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
可控硅模块优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作需有条件：
(1)可控硅模块外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用;
(2)可控硅模块的通态平均电流从安全角度考虑一般按{zd0}电流的1.5～2倍来取;
(3)为保证可控硅模块控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅模块电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
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