半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、pin型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

　　{dy}部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：a-n型锗材料、b-p型锗材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三极管时：a-pnp型锗材料、b-npn型锗材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。

　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。p-普通管、v-微波管、w-稳压管、c-参量管、z-整流管、l-整流堆、s-隧道管、n-阻尼管、u-光电器件、k-开关管、x-低频小功率管(f<3mhz,pc<1w)、g-高频小功率管（f>3mhz,pc<1w)、d-低频大功率管（f<3mhz,pc>1w)、a-高频大功率管（f>3mhz,pc>1w)、t-半导体晶闸管（可控整流器）、y-体效应器件、b-雪崩管、j-阶跃恢复管、cs-场效应管、bt-半导体特殊器件、fh-复合管、pin-pin型管、jg-激光器件。

　　第四部分：用数字表示序号

　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

　　例如：3DG18表示npn型硅材料高频三极管

　　二、日本半导体分立器件型号命名方法

　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

　　{dy}部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

　　第二部分：日本电子工业协会jeia注册标志。s-表示已在日本电子工业协会jeia注册登记的半导体分立器件。

　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。a-pnp型高频管、b-pnp型低频管、c-npn型高频管、d-npn型低频管、f-p控制极可控硅、g-n控制极可控硅、h-n基极单结晶体管、j-p沟道场效应管、k-n沟道场效应管、m-双向可控硅。

　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会jeia登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

　　第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。a、b、c、d、e、f表示这一器件是原型号产品的改进产品。

　　三、美国半导体分立器件型号命名方法

　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

　　{dy}部分：用符号表示器件用途的类型。jan-军级、jantx-特军级、jantxv-超特军级、jans-宇航级、（无）-非xx品。

　　第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

　　第三部分：美国电子工业协会（eia）注册标志。n-该器件已在美国电子工业协会（eia）注册登记。

　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

　　第五部分：用字母表示器件分档。a、b、c、d、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示pnp硅高频小功率开关三极管，jan-军级、2-三极管、n-eia注册标志、3251-eia登记顺序号、a-2n3251a档。

　　四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法

　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

　　{dy}部分：用字母表示器件使用的材料。a-器件使用材料的禁带宽度eg=0.6~1.0ev如锗、b-器件使用材料的eg=1.0~1.3ev如硅、c-器件使用材料的eg>1.3ev如砷化镓、d-器件使用材料的eg<0.6ev如锑化铟、e-器件使用复合材料及光电池使用的材料

　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。a-检波开关混频二极管、b-变容二极管、c-低频小功率三极管、d-低频大功率三极管、e-隧道二极管、f-高频小功率三极管、g-复合器件及其他器件、h-磁敏二极管、k-开放磁路中的霍尔元件、l-高频大功率三极管、m-封闭磁路中的霍尔元件、p-光敏器件、q-发光器件、r-小功率晶闸管、s-小功率开关管、t-大功率晶闸管、u-大功率开关管、x-倍增二极管、y-整流二极管、z-稳压二极管。

　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。a、b、c、d、e┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

　　除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

　　1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的{dy}部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母a、b、c、d、e分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母v，代表小数点，字母v之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的{zd0}反向峰值耐压值，单位是伏特。

　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出{zd0}反向峰值耐压值和{zd0}反向关断电压中数值较小的那个电压值。

　　如：BDX51-表示npn硅低频大功率三极管，AF239S-表示pnp锗高频小功率三极管。

　　五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法

　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。

　　{dy}部分：o-表示半导体器件

　　第二部分：a-二极管、c-三极管、ap-光电二极管、cp-光电三极管、az-稳压管、rp-光电器件。

　　第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。

　　第四部分：a、b、c┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

　　俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。