“内存刷新”，感觉很术语化，实际上就是对存储单元进行定期的充电，防止数据丢失。每个存储单元可以看成一个个电容，或者电池，会漏电。所以在使用的过程中，要定期补充电荷。

通常主板上使用的内存条应该叫做 DRAM ，其中的数据是靠电容特性存储的。由于电容会放电，要维持数据，就要不断的给它充电。给 DRAM 定期充电的机制就叫做数据刷新时钟电路，即内存刷新电路。

SDRAM有两种刷新方式：auto refresh 和 self refresh，

auto refresh(自动刷新) 是在其使用过程当中每隔一段时间发出刷新指令，SDRAM刷新一行，

self refresh（自刷新）是在省电模式时使用

刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。

对于AR， SDRAM内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说CAS在RAS之前有效。所以，AR又称CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank，因此在刷新过程中，所有L-Bank都停止工作，而每次刷新所占用的时间为9个时钟周期（PC133标准），之后就可进入正常的工作状态，也就是说在这9 个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。64ms之后则再次对同一行进行刷新，如此周而复始进行循环刷新。显然，刷新操作肯定会对SDRAM的性能造成影响，但这是没办法的事情，也是DRAM相对于SRAM（静态内存，无需刷新仍能保留数据）取得成本优势的同时所付出的代价。

SR则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最xx的应用就是STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。在发出AR命令时，将CKE置于无效状态，就进入了SR模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。在SR期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。

自刷新（Self Refresh，简称SR）时CKE为低，自动刷新（Auto Refresh，简称AR）时CKE为高。