SEMI在敦促美国政府修订半导体设备出口管制清单上取得突破性进展。据悉，美国商务部工业与安全局（BIS）即日将正式发文宣布，认可国外（中国）存在各向异性等离子干法刻蚀设备，这类设备在ECCN编号为3B001.c。BIS将表明，中国有和美国ECCN3B001.c性能相当的刻蚀设备技术能力，因此，基于这项编码的美国国家安全出口管制将失效。

这一禁令已经持续20多年，取消这条禁令十分必要，这可以充分证明中国本土公司已经可以制造出与美国公司性能相当的半导体刻蚀设备。同时，也为瓦森纳协议（Wassenaar Arrangement）在全球贸易中解除相关管制条例做好了准备。

SEMI长期以来一直敦促美国政府修订出口管制清单，支持自由贸易和开放市场，促进全球半导体产业健康发展。而这次突破性进展除了对中国企业的认可外，对于美国和日本的主要设备供应商也是一个大的利好。

背景

2014年7月16日，半导体设备和材料协会（SEMI）向BIS申请，表示中国存在有各向异性等离子干蚀刻设备，这类型的设备在美国ECCN出口管制制度中编号为3B001.c。它用在双重用途的半导体设备制造过程，例如闪存、微波单片集成电路、晶体管以及模拟 - 数字转换器。这些设备用于民用和军事应用，例如雷达、点对点无线电通信、微处理器、蜂窝基础设施和卫星通信。SEMI认为，中国同等质量的各向异性等离子干法刻蚀设备足以使美国ECCN 3B001.c类别的出口管制失效。

SEMI提交该提案之后， BIS于2014年9月8日正式启动评估。BIS收集的数据分析结果通过了评估，表明中国有和美国ECCN3B001.c质量一致的刻蚀设备，这样，基于这项编码的美国国家安全出口管制将失效。

来源：SEMI

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