2016年8月16-19日,第十四届全国MOCVD学术会议将在具有朝鲜族民族特色的边疆开放城市,素有“歌舞之乡”美称的延吉市举行。大会将围绕“新形势下的MOCVD+”主题,深入探讨在新型学科,新材料不断涌现;新技术、新产品不断出现的背景下,MOCVD将如何继续发挥其应有的作用和巨大的发展潜力。
本届会议将由中国有色金属学会主办,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟、发光学及应用xxxx实验室、应用光学xxxx实验室和半导体照明联合创新xxxx实验室等单位承办,吉林省科技厅和延边市科技局也将予以大力协助和支持。
据组委会介绍,本届会议在内容与形式上还将不断尝试创新与突破,届时来自大陆和台港地区的与会学者、工程师和企业家,将围绕MOCVD生长技术、MOCVD设备研发、材料结构与物性、以及光电子、电力电子器件、微波射频器件研发等领域展开深入交流,了解发展动态的同时,积极促进相互合作,推动我国MOCVD学术研究、技术进步以及第三代半导体产业的大力发展。
来自组委会的最新消息显示,原科技部副部长曹健林已确认出席并将做大会主旨报告,西安电子科技大学中国科学院院士/副校长郝跃,南昌大学副校长江风益,中国科学院院士、长春光学精密机械与物理研究所研究员王立军,北京大学物理学院/北京大学宽禁带半导体联合研究中心副院长沈波教授,山东大学校长张荣教授,半导体照明联合创新xxxx实验室主任李晋闽,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米测试中心所长杨辉等嘉宾将做大会特邀报告。
此外,大会欢迎并广泛征集高质量优秀论文,征文通知发出后,受到了广泛的关注与支持,业内人士投稿热情高涨,截至目前组委会已经收到150余篇论文摘要,且投稿在持续增加,内容涉及MOCVD不同技术环节,既有研究成果,亦有趋势跟踪,丰富全面。
目前论文征集仍在继续,征文内容涵盖外延生长机理和生长动力学、外延结构与物性、光电子材料与器件、电子材料与器件、其他材料与器件、封装技术及封装材料、设备研制与开发、衬底、MO源、高纯气体等基础材料等八大方面,欢迎踊跃投稿。
1.符合上述内容的论文摘要;
2.论文摘要主题突出,内容层次分明,数据准确,论述严谨,结论明确,采用法定计量单位;
3.论文摘要以WORD文档形式准备,包含标题、作者及其单位地址、正文、参考文献等在内不超过一页A4纸,相关模板可登录 http://www.mocvd14.org下载,于2016年6月22日前通过电子邮件方式提交给会议组委会秘书组(mocvd14 @ciomp.ac.cn);
4.所有论文摘要将编入会议文集,优秀论文推荐到发光学报(EI)上发表。
黎大兵 lidb@ciomp.ac.cn 18686638484
孙晓娟 sunxj@ciomp.ac.cn <mailto:sunxj@ciomp.ac.cn>
张威威 zhangww@china-led.net 13681329411
贾欣龙jiaxl@china-led.net 18310277858
唐林冬 tangld@china-led.net 13911869210
一般代表:2000元(包含会议文集和日程等会议资料、会议期间其它相关服务)
学生代表:1500元(与一般代表相同会议待遇,但须提交相关证件)
2016年6月30日前注册交费优惠:一般代表1800元,学生代表1300元
1.通过银行汇款:
开户行:中国银行北京科技会展中心支行
帐号:336356029261
名称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
2.现场缴费(接受现金和刷卡)