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三星电子领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND型闪存产品，但其领先优势恐维持不了多久，因为竞争对手东芝传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹！

日本媒体产经新闻25日报导，三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆栈32层，但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆栈48层，记忆容量较现行产品呈现大幅度提高。且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂开始量产上述48层架构的3D NAND Flash产品。

据报导，三星于去年量产的3D NAND Flash产品传出不良率偏高、且获利不佳，而东芝虽面临同样的问题，但因已确立了生产技术、故已决定进行样品出货。

东芝和三星皆计划于数年内研发出容量达1Tb(Tera bit；1Tb=1,000Gb)的3D NAND Flash产品，而一旦实现，就可在智能手机储存高达数十小时的4K影片。

根据市调机构TrendForce公布的数据显示，2014年第四季三星NAND Flash全球市占率为27.9%、稳居xx，其次分别为东芝的21.9%、SanDisk的18.2%、美光的13.7%以及SK Hynix的11.4%。

来源：MoneyDJ财经网

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