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据国外媒体报道, 英特尔将联合美光，开发适用于智能手机、平板电脑和xx笔记本电脑的闪存技术。新的技术将利用笔记本内存条一半大小的体积提供1TB的存储空间。
美光与英特尔希望能够利用基于3D堆叠技术的芯片生产廉价、快速的闪存。新的芯片理论上将可以用来生产小体积的3.5TB闪存。采用32层闪存堆叠技术，英特尔与美光预计今年晚些时候推出最终产品。
3D堆叠技术并不是xxxx，三星去年推出的闪存就采用了类似的技术。3D堆叠将是维持摩尔定律的重要途径，如同盖楼一样，传统闪存芯片就像不断建设一层的平房，而新的3D堆叠技术则不仅在平面发展，同时将楼越盖越高，更有效的利用空间。另外存储单元的距离拉近，也可增加速度。
4Q14的闪存市场份额中三星xxxx，持有27.8％的市场份额。美光拥有13.7％，而英特尔只占有7％。
扩展阅读：东芝、SANDISK携手 推48层3D NAND FLASH
在3D NAND Flash领域，相对于Samsung的3D V-NAND，由东芝与Sandisk这组长期的合作伙伴所推出的产品称为BiCS，或是P-BiCS（Pipe-shaped Bit Cost Scalable），日前正式宣布推出了最新的BiCS产品，堆栈层数也来到了48层，超过了先前的16层堆栈，也超越了目前Samsung的32层3D V-NAND。
新推出的BiCS ，为2 bit MLC的配置，透过了48层堆栈，来到了16GB（128Gb），内部设计与3D V-NAND同样为Charge Trap Flash。
目前东芝已准备送样给合作伙伴，另外量产地点将会在东芝于日本四日市的Fab 2进行，目前Fab 2预计将在2016年上半竣工。
来源：VR-Zone
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