1. Brown-Out Reset
掉电复位,或电源电压跌落复位, 当输入电压VCC跌到某一门限时芯片复位
The MCU is reset when the supply voltage VCC is below the Brown-Out Reset threshold voltage
and the Brown-out Detector is enabled. The Brown-out threshold voltage is programmable.
2. Totem-pole
推拉输出电路
3. IAR调试出现The stack plug-in failed to set a breakpoint on "main". The Stack window will not be able to display stack contents. (You can change this setting in the Tool>Options dialog box.)的警告,程序能烧进去，但不能调试。
需要进行如下配置:
iar->options->linker->output->format;
选择 Debug information for c-SPY选项
4. newlib
newlib是一个用于嵌入式系统的开放源代码的C语言程序库，由libc和libm两个库组成，特点是轻量级，速度快，可移植到很多CPU结构上。newlib实现了许多复杂的功能，包括字符串支持，浮点运算，内存分配(如malloc)和I/O流函数(printf，fprinf()等等)。其中libc提供了c 语言库的实现，而libm提供了浮点运算支持。
5. Open-drain
open-drain是漏极开路输出的意思，相当于集电极开路(open-collector)输出，即ttl中的集电极开路(oc)输出。
一般用于线或、线与，也有的用于电流驱动。
open-drain是对mos管而言，open-collector是对双极型管而言，在用法上没啥区别。
开漏形式的电路有以下几个特点：
(1). 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。 或驱动比芯片电源电压高的负载.
(2).可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。如果作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载时，下降延是芯片内的晶体管，是有源驱动，速度较快;上升延是无源的外接电阻，速度慢。如果要求速度高电阻选择要小，功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。
(3). 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。例如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。
(4). 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的。
6.C语言中将xx地址转换为函数指针以及跳转到内存指定位置处执行的技巧
要对xx地址0x100000赋值，我们可以用
* (unsigned int * ) 0x100000 = 1234;
那么要是想让程序跳转到xx地址是0x100000去执行，应该怎么做?
*((void (*)( ))0x100000 ) ( );
首先要将0x100000强制转换成函数指针,即:
(void (*)())0x100000
然后再调用它:
*((void (*)())0x100000)();
用typedef可以看得更直观些:
typedef void(*)() voidFuncPtr;
*((voidFuncPtr)0x100000)();
又如
如果用 C 语言，可以像下列示例代码这样来调用内核：
void (*theKernel)(int zero, int arch, u32 params_addr)
= (void (*)(int, int, u32))KERNEL_RAM_BASE;
……
theKernel(0, ARCH_NUMBER, (u32) kernel_params_start);
KERNEL_RAM_BASE 是内核在系统内存中的第一条指令的地址。
7. On Die Termination
ODT(On-die Termination，片内终结器)是内建核心的终结电阻器。
使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻，它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率。因此主板上的终结电阻并不能非常好地匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDRII内建了终结电阻器，为DDRII带来了两个好处，一个是去掉了主板上的终结电阻器使主板的成本降低，也使PCB板的设计更加容易。第二个好处是终结电阻器可以和内存颗粒的"特性"相符，使DRAM处于xx状态。