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三星电子正式量产14纳米3D FinFET移动AP

SEMIChina    2015/3/1  

三星电子近日宣布,领先业界正式量产14奈米3D FinFET行动应用处理器,该制程技术会率先用于8核心Exynos 7系列新产品的量产,之后逐步扩及其他产品。三星电子南韩官网三星电子(Samsung Electronics)16日宣布,领先业界正式量产14奈米3D鳍式场效电晶体(FinFET)行动应用处理器(Application Processor;AP),该制程技术将率先用于8核心Exynos 7系列新品,之后再逐步扩及其他产品。

综合多家韩媒与三星电子的消息,三星电子16日表示已领先业界,正式量产14奈米3D FinFET行动AP,三星电子也因此成为全球xx使用3D制程生产行动AP的业者。

三星电子方面表示,该制程技术会率先用于8核心Exynos 7系列新产品的量产,之后逐步扩及其他产品。据了解,三星电子运用此技术生产的新AP名为Exynos 7420,将搭载于即将推出的新款旗舰机种Galaxy S6及其他新产品。


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