VR-Zone 引述 ZDNet Korea 报导称，三星电子在旧金山于 2 月 22-26 日举办的国际固态电路会议（International Solid State Circuit Conference，ISSCC）上展示了全球首见的 10 纳米 FinFET 半导体制程，有望抢在英特尔之前制造出第一款 10 纳米行动芯片组。

三星电子半导体事业部总裁 Kim Ki-nam 在展场中表示，采用 10 纳米 FinFET 制程技术的芯片不但更加省电、体积也更小，是物联网（IoT）演化进程中相当重要的一步。除了 10 纳米制程技术之外，Kim 也谈论了 10 纳米的 DRAM 与 3D V-NAND 科技。

根据报导，目前还无法确定消费性电子产品何时才会导入这种最新的半导体制程技术，也许要到 2017 年才有可能。

三星在开发制程技术的速度实在不容小觑，刚在数月前开始为行动装置市场研发 14 纳米 FinFET 系统单芯片（SoC），并打算将这些 SoC 应用在Galaxy S6、Galaxy S6 Edge 上，连苹果A9 处理器也传出有机会采用三星制程。

台积电预计2017年量产10纳米制程 追上Intel

台积电(TSMC)透露该公司将在2017年开始量产10纳米制程，届时将能与英特尔并驾齐驱。

“我们的10纳米制程性能表现，包括速度、功率与密度，将会与我们认为英特尔为其10纳米技术所定义的规格相当。”台积电企业通讯部门总监Elizabeth Sun表示，“凭借技术实力，我们认为能在10纳米节点拉近差距。”

而台积电首度表示，今年预期将会有半导体产业界xx规模的资本支出，其目标是巩固其晶圆代工市场领导地位，以对抗英特尔、三星与Global Foundries等竞争者。

台积电将2015年资本支出预算提高至115亿美元至120亿美元，较2014年成长11.5~20%，主要原因是对市场的先进制程需求深具信心。英特尔的2014年度资本支出为101亿美元，今年则预期维持在100亿美元左右，增减5亿美元。

台积电的Sun表示，随着摩尔定律(Moore's Law)逐渐「失能」，产业界也剩下越来越少厂商能负担先进制程所需的庞大投资：「当你继续微缩芯片，成本就不断上升，越来越少人能够真正负担得起。」她透露，台积电将在台湾中科厂(编按：12寸晶圆Fab 15)进行10纳米量产，该厂随后也将量产更先进的制程节点。

根据业界消息，台积电的中科晶圆厂在2018年底将达到9万片晶圆月产能，采用10纳米节点或更先进制程技术；该公司在本月稍早也表示将投资5000亿台币(159亿美元)扩展中科厂产能。

台积电2015年第一季营收预期在新台币2210亿~2240亿台币之间，较2014年同期成长约50%。台积电中科晶圆厂2014年产值为2000亿台币，贡献台积电年度总产值约28%的比例。

而Sun也透露，台积电的10纳米节点量产将采用浸润式微影设备，至于更先进制程节点将采用何种微影工具则尚未公布。

“我们正在与ASML合作，目标是在未来某个时候如果超紫外光微影(EUV)准备就绪，我们就能将该技术部分应用于10纳米制程节点。”Sun解释，所谓的部分应用指的是指在少数关键电路层采用，而在10纳米以下制程节点使用EUV微影仍要看该技术是否准备好量产：“相关工作仍在持续进展。”

来源：MoneyDJ财经网