NP40N04QR-G DFN3X3-8L 40V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装

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    深圳市芯庆电子有限公司

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    Description
            The   NP40N04QR   uses   Trench   technology   that   is
    uniquely   optimized   to   provide   the   most   efficient   high
    frequency   switching   performance .   Both   conduction   and
    switching    power    losses    are    minimized    due    to    an
    extremely  low  combination  of  RDS(ON) and Qg. This  device
    is   ideal   for   high-frequency   switching   and   synchronous
    rectification.

    General  Features
    VDS=40V,ID=40A
    RDS(ON)=6.6mΩ (typical)     @VGS=10V
    RDS(ON)=9 mΩ (typical)     @VGS=4.5V
    Excellent  gate  charge  X  RDS(ON) product(FOM)
    Very  low  on-resistance  RDS(ON)
    150℃  operating  temperature
    Pb-free  lead  plating
    100%  UIS  tested

    Application
    DC/DC  Converter
    ldeal  for  high-frequency  switching  and  synchronous  rectification

    Package
    DFN3X3-8L




    郑重声明:产品 【NP40N04QR-G DFN3X3-8L 40V耐压N沟道增强型场效应管MOS管原装】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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