HMDS晶片涂胶烘箱真空预处理自动化
HMDS预处理真空烘箱
三、HMDS烘箱技术参数
规格型号 |
PVD-090-HMDS |
PVD-210-HMDS |
容积(L) |
90L |
210L |
控温范围 |
RT+10~250℃ |
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温度分辨率 |
0.1℃ |
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控温精度 |
±0.5℃ |
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加热方式 |
内腔体外侧加温 |
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隔板数量 |
2PCS |
3PCS |
真空度 |
<133Pa(真空度范围100~100000pa) |
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真空泵 |
抽气速度4升/秒,型号DM4 |
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电源/功率 |
AC220/50Hz,3KW |
AC380V/50Hz,4KW |
内胆尺寸W*D*H |
450×450×450 |
560×640×600 |
外形尺寸W*D*H |
800×630×850 |
1220×930×1755 |
外形尺寸(新款) |
980×655×1600 |
1220×930×1755 |
PVD-090-HMDS圆形视窗机型外尺寸(含三色灯高度):940×645×1670(mm)
连接管:316不锈钢波纹管,将真空泵与真空箱密封无缝连接
四、HMDS预处理系统的原理:
HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS,降低了HMDS处理后的硅片接触角,降低了光刻胶的用量,提高光刻胶与硅片的黏附性。
五、HMDS预处理系统的一般工作流程:
首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为:打开真空泵抽真空,待腔内真空度达到某一高真空度后,开始充入氮气,充到某低真空度后,再次进行抽真空、充入氮气的过程,到达设定的充入氮气次数后,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空,充入HMDS气体,在到达设定时间后,停止充入HMDS药液,进入保持阶段,使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后,再次开始抽真空。充入氮气,完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图:首先加热到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS与表面的OH一反应,在硅片表面生成硅醚,除氢键作,从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。
开箱温度可以由user自行设定来降低process时间,正常工艺在50分钟-90分钟(按产品所需而定烘烤时间),为正常工作周期不含降温时间(因降温时间为常规降温))。
六、尾气排放:
多余的HMDS蒸汽(尾气)将由真空泵抽出,排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。