HMDS晶片涂胶烘箱真空预处理自动化

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    HMDS晶片涂胶烘箱真空预处理自动化


    HMDS预处理真空烘箱



    三、HMDS烘箱技术参数

    规格型号

    PVD-090-HMDS

    PVD-210-HMDS

    容积(L

    90L

    210L

    控温范围

    RT+10250

    温度分辨率

    0.1

    控温精度

    ±0.5

    加热方式

    内腔体外侧加温

    隔板数量

    2PCS

    3PCS

    真空度

    <133Pa(真空度范围100100000pa

    真空泵

    抽气速度4升/秒,型号DM4

    电源/功率

    AC220/50Hz3KW

    AC380V/50Hz4KW

    内胆尺寸W*D*H

    450×450×450

    560×640×600

    外形尺寸W*D*H

    800×630×850

    1220×930×1755

    外形尺寸(新款)

    980×655×1600

    1220×930×1755

    PVD-090-HMDS圆形视窗机型外尺寸(含三色灯高度):940×645×1670mm

    连接管:316不锈钢波纹管,将真空泵与真空箱密封无缝连接


    四、HMDS预处理系统的原理:

    HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS,降低了HMDS处理后的硅片接触角,降低了光刻胶的用量,提高光刻胶与硅片的黏附性。

    五、HMDS预处理系统的一般工作流程:

    首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为:打开真空泵抽真空,待腔内真空度达到某一高真空度后,开始充入氮气,充到某低真空度后,再次进行抽真空、充入氮气的过程,到达设定的充入氮气次数后,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空,充入HMDS气体,在到达设定时间后,停止充入HMDS药液,进入保持阶段,使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后,再次开始抽真空。充入氮气,完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图:首先加热到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS与表面的OH一反应,在硅片表面生成硅醚,除氢键作,从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。

    开箱温度可以由user自行设定来降低process时间,正常工艺在50分钟-90分钟(按产品所需而定烘烤时间),为正常工作周期不含降温时间(因降温时间为常规降温))。

    六、尾气排放:

    多余的HMDS蒸汽(尾气)将由真空泵抽出,排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。


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