LED车灯驱动MOS管 NP4N10MR 4A/100V耐压N沟道场效应管|深圳市晶立弘泰电子科技有限公司|免费b2b网站

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Description
The NP4N10MR uses advanced trench technology
to provide excellent R DS(ON), low gate charge and high
density cell Design for ultra low on-resistance. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

VDS =100V，ID=4A
RDS(ON) (Typ.)=110mΩ @V GS=10V
RDS(ON) (Typ.)=130mΩ @V GS=4.5V
High power and current handing capability
Lead free product is acquired

Surface mount package

Application
PWM applications

Load switch

Package

SOT-23-3L

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