NP8205MR SOT23-6 6.5A/20V 双N沟道 场效应MOS管

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    Description
    The NP8205MR uses advanced trench technology
    to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and
    operation with gate voltages as low as 2.5V. This
    device is suitable for use as a Battery protection or in

    other Switching application.


    General Features
    VDS =20V,ID =6.5A
     RDS(ON) =19.6 mΩ (typical) @ VGS=4.5V
     RDS(ON) =23.7 mΩ (typical) @ VGS=2.5V
    High power and current handing capability
    Lead free product is acquired

    Surface mount package


    Application
    Battery protection

    Load switch

    Power management


    Package

    SOT23-6L


    只做原装 保证原装 
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    电动车、家电产品、智能安防产品、蓝牙系列产品、便携式数码产品、工控仪表产品、医

    疗保健产品等科技产品的单片机方案开发设计以及相关领域的产品技术服务,各类消费类

    智能电子产品应用开发设计、售前售后服务;同时专业承接各类智能电子产品开发设计。


    深圳市晶立弘泰电子科技有限公司现提供产品的设计应用与技术支持,产品涉及8位单片

    机、32位单片机、单片机开发、电源管理IC、MCU开发、AD单片机开发、锂电池充电

    IC、LDO稳压IC、电压检测IC、DCDC升压IC、DCDC降压IC、LED闪灯IC、LED升压恒流

    驱动IC、LED降压恒流驱动IC、MOSFET管等。

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