NP2302DVR 20V/3A SOT23 22DS N沟道场效应MOS管内阻41毫欧|深圳市晶立弘泰电子科技有限公司|免费b2b网站

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Description
The NP2302D uses advanced trench technology
to provide excellent R DS(ON), low gate charge and high
density cell Design for ultra low on-resistance. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

VDS =20V，ID=3A

RDS(ON) (Typ.)=41mΩ @VGS=2.5V
RDS(ON) (Typ.)=31.3mΩ @VGS=4.5V
High power and current handing capability
Lead free product is acquired

Surface mount package

Application
PWM applications

Load switch

Package

SOT-23

只做原装保证原装
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压IC、电压检测IC、DCDC升压IC、DCDC降压IC、LED闪灯IC、LED升压恒流驱动IC、LED降

压恒流驱动IC、MOSFET管等。

NP2302DVR 20V/3A SOT23 22DS N沟道场效应MOS管 内阻41毫欧

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NP2302DVR 20V/3A SOT23 22DS N沟道场效应MOS管内阻41毫欧