NP1005BMR 7A/100V SOT23-6内阻115毫欧 NP105B N沟道场效应MO S管|深圳市晶立弘泰电子科技有限公司|免费b2b网站

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Description
The NP1005 uses advanced trench technology and
design to provide excellent R DS(ON)with low gate charge.

It can be used in a wide variety of applications.

General Features

ID =7A,V DS=100V
RDS(ON) (Typ.)=115mΩ@VGS=10V

RDS(ON) (Typ.)=180mΩ@VGS=4.5V

High density cell design for ultra low RDS（ON）

Fully characterized avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation

Application
Power switching application
Hard switched and high frequency circuits

Uninterruptible power supply

Package

SOT-23-6L

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