AP15N06 NMOS SOT89-3L 电池保护MOS管 低内阻MOS

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    深圳市世微半导体有限公司

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     Super Low Gate Charge
     Green Device Available
     Excellent Cdv/dt effect decline
     Advanced high cell density Trench

    technology


    Description

    The 15N06is the highestperformance trench N-
    ch MOSFETs with extreme high cell density,
    which provide excellent RDSON and gate charge
    for most of the synchronous buck converter
    applications .
    The meet the RoHS and Green Product
    requirement, 100% EAS guaranteed with full

    function reliability approved.

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