AP30N06 NMOS TO252 N沟道场效应管 60V耐压MOS 车灯MOS

    ¥:0.50

    深圳市世微半导体有限公司

    进入店铺
    商品目录
    图文详情

    100% EAS Guaranteed

    Green Device Available

    Super Low Gate Charge

    Excellent CdV/dt effect decline

    Advanced high cell density Trench

    technology


    The
    is the high cell density trenched
    N
    -ch MOSFETs, which provide excellent RDSON
    and gate charge for most of the
    synchronous buck
    converter applications.
    The
    meet the RoHS and Green Product
    requirement, 100% EAS guaranteed with full
    function reliability approved

    郑重声明:产品 【AP30N06 NMOS TO252 N沟道场效应管 60V耐压MOS 车灯MOS】由 深圳市世微半导体有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
    留言预约
    电话预约
    留言
    *主题
    *手机
    *联系人