NP8205MR SOT23-6 6.5A/20V 双N沟道 场效应MOS管

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    深圳市芯庆电子有限公司

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    Description
    The NP8205MR uses advanced trench technology
    to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and
    operation with gate voltages as low as 2.5V. This
    device is suitable for use as a Battery protection or in
    other Switching application.
    General Features
     V DS =20V,ID =6.5A
    R DS(ON) =19.6 mΩ (typical) @ VGS=4.5V
    R DS(ON) =23.7 mΩ (typical) @ VGS=2.5V
     High power and current handing capability
     Lead free product is acquired
     Surface mount package
    Application
     Battery protection
     Load switch
     Power management
    Package
     SOT23-6L
    郑重声明:产品 【NP8205MR SOT23-6 6.5A/20V 双N沟道 场效应MOS管】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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