NP4406ER 13A/30V ESOP8 N沟道场效应MOS管 内阻9毫欧

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    Description
    The NP4406 uses advanced trench technology to
    provide excellent R DS(ON) with low gate charge.
    This device is suitable for high side switch in SMPS
    and general purpose applications.
    General Features
     V DS =30V I D =13A
    R DS(ON) (Typ.)=9mΩ @V GS =10V
    R DS(ON) (Typ.)=12mΩ @V GS =4.5V
     Lead free product is acquired
     Surface mount package
    Application
     High Frequency Point-of-Load Synchronous
    Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
     Networking DC-DC Power System
     Load switch
    Package
     ESOP-8L
    郑重声明:产品 【NP4406ER 13A/30V ESOP8 N沟道场效应MOS管 内阻9毫欧】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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