NP2300VR SOT23 5A/20V 内阻32毫欧 N沟道场效应MOS管

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    Description
    The NP2300 uses advanced trench technology to
    provide excellent R DS(ON) , low gate charge and high
    density cell Design for ultra low on-resistance. This
    device is suitable for use as a load switch or in PWM
    applications.
    General Features
     V DS =20V,I D =5A
    R DS(ON) (Typ.)=32mΩ @V GS =2.5V
    R DS(ON) (Typ.)=26mΩ @V GS =4.5V
     High power and current handing capability
     Lead free product is acquired
     Surface mount package
    Application
     PWM applications
     Load switch
    Package
     SOT-23
    郑重声明:产品 【NP2300VR SOT23 5A/20V 内阻32毫欧 N沟道场效应MOS管】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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