NP2018DR 16A/20V 场效应MOS管N沟道 DFN封装

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    深圳市芯庆电子有限公司

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    Description
    The NP2018DR uses advanced trench technology
    to provide excellent R DS(ON)
    General Features
    , low gate charge and
    operation with gate voltages as low as 2.5V. This
    device is suitable for use as a load switch or in PWM
    applications.
     V DS =20V,I D
    R
    =16A
    DS(ON) (Typ.)=11.5mΩ @V GS
    R
    =2.5V
    DS(ON) (Typ.)=9mΩ @V GS
     High power and current handing capability
    =4.5V
     Lead free product is acquired
     Surface mount package
    Application
     PWM applications
     Load switch
    Package

     DFN2*2-6L-B


    郑重声明:产品 【NP2018DR 16A/20V 场效应MOS管N沟道 DFN封装】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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