NP50P03D6-G -50A/-30V P沟道MOS场效应MOS管 PDFN5*6

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    Description
    The NP50P03D6 uses advanced trench technology to
    provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use
    as a load switch or in PWM applications.
     
    General Features
    VDS =-30V,ID =-50A
    RDS(ON)(Typ.)=5.8mΩ @VGS=-10V
    RDS(ON)(Typ.)=9.9mΩ @VGS=-4.5V
    High power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface mount package
    150 °C operating temperature
    100% UIS tested
     
    Application
    PWM applications
    Load switch
    Uninterruptible power supply
     
    Package
    PDFN5*6-8L-A
    郑重声明:产品 【NP50P03D6-G -50A/-30V P沟道MOS场效应MOS管 PDFN5*6】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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