NP30P10G -30A/-100V 内阻36毫欧 TO-252 P沟道场效应MOS管

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    Description
    The NP30P10G uses advanced trench technology
    and design to provide excellent R DS(ON) with low gate
    charge. It can be used in a wide variety of applications.
    General Features
     V DS =-100V I D =-30A
    R DS(ON) (Typ.)=36mΩ @V GS =-10V
    R DS(ON) (Typ.)=40mΩ @V GS =-4.5V
    High power and current handing capability
     Lead free product is acquired
     Surface mount package
    Application
     Load switch
    Package
     TO-252-2L
    郑重声明:产品 【NP30P10G -30A/-100V 内阻36毫欧 TO-252 P沟道场效应MOS管】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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