NP5N10MR 5A/100V SOT23 LED恒流驱动MOS管 N沟道场效应管

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    深圳市芯庆电子有限公司

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    Description
    The NP5N10MR uses advanced trench technology
    to provide excellent RDS(ON), low gate charge and high
    density cell Design for ultra low on-resistance. This
    device is suitable for use as a load switch or in PWM
    applications.
     
    General Features
    VDS=100VID=5A
    RDS(ON)(Typ.)=150mΩ @VGS=10V
    RDS(ON)(Typ.)=160mΩ @VGS=4.5V
    High power and current handing capability
    Lead free product is acquired
    Surface mount package
     
     
    Application:
    PWM applications
    Load switch
     
     
    Package:
    SOT-23-3L
    郑重声明:产品 【NP5N10MR 5A/100V SOT23 LED恒流驱动MOS管 N沟道场效应管】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布,版权归原作者及其所在单位,其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权, 请你提供相关证明及申请并与我们联系(qiyeku # qq.com)或【在线投诉】,我们审核后将会尽快处理。
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