NP4P06MR -4A/-60V SOT23内阻67毫欧 P沟道场效应MOS管

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    概述：
    NP4P06MR采用先进的沟槽技术
    和设计，以提供的R DS（ON）
    一般功能带低栅极
    要价可用于负载开关和电池
    保护应用。

    高功率和电流处理能力
    =-10伏
    获得无铅产品

    表面安装组件



    应用：
    蓄电池保护
    负载开关



    采用：

    SOT-23-3升
    郑重声明：产品 【NP4P06MR -4A/-60V SOT23内阻67毫欧 P沟道场效应MOS管】由 深圳市芯庆电子有限公司 发布，版权归原作者及其所在单位，其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权， 请你提供相关证明及申请并与我们联系（qiyeku # qq.com）或【在线投诉】，我们审核后将会尽快处理。
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