安森美-FGH30N60LSDTU-晶体管

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    FGH30N60LSDTU的描述

    FGH30N60LSDTU是一款采用安森美半导体平面技术的IGBT。


    FGH30N60LSDTU的特点

    低饱和电压。VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A

    高输入阻抗

    低导通损耗

    FGH30N60LSDTU的应用

    能源生产和分配
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