意法半导体 STD10P6F6 FET晶体管

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    产品描述

    STD10P6F6晶体管是P沟道功率MOSFET，采用STripFET™ F6技术开发，具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率STD10P6F6晶体管在所有封装中都表现出非常低的RDS(on)封装。

    产品特征

    • 非常低的导通电阻
    • 非常低的栅极电荷
    • 高雪崩坚固性
    • 栅极驱动功率损耗低

    应用领域

    • 直流电动机速度控制
    • 照明系统
    • PWM应用
    • 交流电源检测
    • 磁簧继电器驱动
    • 开关模式电源反馈
    • 电话铃声检测
    • 逻辑接地隔离



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