二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试仪
¥：188.00
●规格环境
尺寸：250×570×280（mm）
质量：15kg
环境温度：15~40℃
工作电压；AC220V±10%（无严重谐波）
电网频率：50Hz
通信接口；USB RS232
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功能单元 |
参数指标 |
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基本参数 |
功率源：3000V/200A |
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栅极-发射极漏电流 |
IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA |
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IGES |
集电极电压VCE: 0V |
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栅极电压 Vge: 5-40V±3%±0.1V |
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集电极电压VCES: 200-3000V±2%±10V |
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集电极-发射极电压 |
集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA |
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栅极电压 Vge: 0V |
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集电极-发射极饱和 |
VCESat:0.1-5V±2%±0.01V |
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电压VCESat |
栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V |
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集电极电流ICE: 10-100A±2%±1A |
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集电极-发射极截止 |
集电极电压VCE: 200-3000V±3% |
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集电极电流ICES: 0.1-1mA±3%±0.01mA |
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电流ICES |
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栅极电压VGE: 0V |
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栅极-发射极阈值电 |
VGEth: 1-10V±2%±0.1V |
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压 |
Vce=15V |
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二极管压降测试 |
VF: 0.1-5V±2%±0.01V |
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IF:5-100A±2%±1A |
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Vge: 0V |
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反向击穿BVR |
BVR：200-3000V±2%±10V |
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反向漏电流IR |
IR：0.1-10mA±3%±0.01mA |
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导通电阻RDS（on） |
1-10mΩ±2%±0.1 mΩ |
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10-50mΩ±2%±0.5 mΩ |
