离子注入硅的损伤分布半导体样品在离子注入过程中引起辐照损伤,过去测定辐照损伤主要用背散射技术等,椭偏术也是一种近期发展起来检测损伤的方法。过去,单波长椭偏术需要与剖层技术结合,才能定出损伤分布.近来我们采用椭偏光谱结合剖层技术,可更准确地定出As注入Si的损伤分布,并找出确定损伤分布的合适波长,不是常用的6328 ﹨dot{A},而是3600—5000 。另一方面,我们探索了不用剖层技术,单用椭偏光谱技术无损伤地确定损伤分布,即从椭偏参数的光谱分布推断出损伤(无序度)的空间分布。结果表明是成功的。
光谱反射仪测量的是垂直光,它忽略偏振效应 (绝大多数薄膜都是旋转对称)。 因为不涉及任何移动设备,光谱反射仪成为简单低成本的仪器。光谱反射仪可以很容易整合加入更强大透光率分析。
可以看出, 光谱反射仪通常是薄膜厚度超过10um,而椭偏仪侧重薄于10nm的膜厚。在10nm到10um厚度之间,两种技术都可用。 而且具有快速,简便,成本低特点的光谱反射仪通常是更好的选择。