镀膜Pd钯靶材生产厂家

东莞市鼎伟靶材有限公司是专业生产纯金属材料，蒸镀膜材料以及溅射靶材的技术企业应用的科技型民营股份制工贸有限公司。公司以青岛大学和青岛科技大学蒸材料专业为技术依托，拥有多名中级专业技术人员和专业化应用实验室，有很强的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、溅射靶材系列产品广泛应用到国内外众多知名子、太阳能企业当中，以较的价比，成功替代了国外进口产品，颇受用户好评。

镀膜Pd钯靶材生产厂家

东莞市鼎伟靶材有限公司

联系人：肖先生

手机：18681059472           

话：0769-88039551

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邮箱： 

地址：东莞市南城区民间金融大厦

公司主要经营产品： 

一、真空镀膜材料 

1．纯真空溅射靶材（99.9％——99.999％）

纯金属靶材：锆靶Zr、铬靶Cr、钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Sn、钒靶V、锑靶Sb、铟靶、硼靶B、钨靶W、锰靶Mn、铋靶Bi、铜靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、钽靶 Ta、锌靶Zn、镁靶Mg、铌靶Nb、钼靶Mo、钴靶Co、铁靶Fe、锗靶Ge、铪靶Hf、铅靶Pb、镍靶Ni、银靶Ag、硒靶Se、铍靶Be、碲靶Te、不锈钢靶材S.S等……

多元合金靶材： 钛铝靶Ti-Al、钛锆靶Ti-Zr、钛硅靶Ti-Si、钛镍靶Ti-Ni、镍铬靶Ni-Gr、镍铝靶Ni-Al、镍钒靶Ni-V、镍铁靶Ni-Fe、铁钴靶Fe-Co、铝硅靶Al-Si、钛硅靶Ti-Si、铬硅靶Cr-Si、锌铝靶Zn-Al、钛锌靶材Ti-Zn、铝硅铜靶Al-Si-Cu等……

陶瓷溅射靶材：ITO靶、单晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化钛靶TiO2、氧化锆靶ZrO2、二硼化钛靶TiB2、氧化镁靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二钇靶Y2O3、五氧化二钒靶V2O5、氧化锌靶ZnO、硫化锌靶ZnS、硫化钼靶MoS、硫化钨靶WS、氧化锌铝靶ZAO、氧化铝靶Al2O3、钛酸锶靶SrTiO3、五氧化二钽靶Ta2O5、五氧化二铌靶Nb2O5、氧化锌镓靶ZGO、氧化锌硼靶ZBO、砷化镓靶GaAs，磷化镓靶GaP，硒化锌靶、锰酸锂靶、镍钴酸锂靶、钽酸锂靶，铌酸锂靶、等… 

稀土金属靶：镧靶、铈靶、镨靶、钕靶、钐靶、铕靶、钆靶、铽靶、镝靶、钬靶、铒靶、铥靶、镱靶、镥靶、钇靶等… 

稀土氧化物靶：氧化镧靶、氧化铈靶、氧化镨靶、氧化钐靶、氧化铕靶、氧化钕靶、氧化钆靶、氧化铽靶、氧化镝靶、氧化钬靶、氧化铒靶、氧化铥靶、氧化镱靶、氧化镥靶 

金属膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu溅射靶材：

金属膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．纯光学镀膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化钛、二氧化钛、三氧化二钛、五氧化三钛、二氧化锆、二氧化铪、二氧化铈、二钛酸镨、三氧化钨、五氧化二钽、五氧化二铌、三氧化二钪、三氧化二铝、三氧化二铟、氧化镱、氧化锌、氧化镁、氧化钆、氧化钐、氧化钕、氧化钙、氧化镨、氧化铋、氧化铬、氧化镍、氧化铜、氧化铁、氧化钒等… 

氟化物：氟化镁、氟化钙、氟化钕、氟化镧、氟化镱、氟化钇、氟化铒、氟化钐、氟化镝、氟化铈、氟化钡、氟化锶、氟化钾、氟化钠等… 

硫化物：硫化锌、硫化钼、硫化钙、硫化锑、硫化铁、硫化钠等…

铱铼合金靶材

Ir-Re

99.9%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

铟锡合金靶材

In-Sn

99.99%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

钼硅合金靶材

Mo-Si

99.5%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

钼铌合金靶材T18937853784(不是联系方式)

Mo-Nb

99.95%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

镍铝合金靶材

Ni-Al

99.9%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

镍铬合金靶材

Ni-Cr

99.95%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

镍铬硅合金靶材

Ni-Cr-Si

99.95%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

镍铁合金靶材

Ni-Fe

99.9%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

镍铌钛合金靶材

Ni-Nb-Ti

99.9%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

镍钛合金靶材

Ni-Ti

99.95%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

镍钒合金靶材

Ni-V

99.9%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

钐钴合金靶材

Sm-Co

99.9%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

银铜合金靶材

Ag-Cu

99.99%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

银锡合金靶材

Ag-Sn

99.99%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

钽铝合金靶材

Ta-Al

99.9%

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

铽镝铁合金靶材

Tb-Dy-Fe

圆片靶， 矩形靶，圆柱靶，台阶靶，图纸加工

下一个内容

物以稀为贵。钌、铑、钯、锇、铱、铂6个元素在地壳中的含量都非常少。除了铂在地壳中的含量为亿分之五、钯在地壳中的含量为亿分之一外，钌、铑、锇、铱4个元素在地壳中的含量都只有十亿分之一。又由于它们多分散于各种矿石之中，很少形成大的聚集，所以价格昂贵。这6个元素在化学称作铂族元素，加已经介绍过的银和金，就是我们常说的贵金属。

纯Pd钯靶材厂家：钯靶、钯粒、钯片、钯粉

纯度：3N 、3N5、4N

规格：钯靶（平面圆靶，方靶，旋转靶，台阶靶均可加工，规格户要求定做）

      钯粒（不规则颗粒1-5mm,10*10*1mm片状，其他规格定做）

      钯片（10*10*1mm,根据户要求定做）

      钯粉（根据户要求定做）

纯Ir铱：铱靶、铱粒、铱片、铱粉

纯度：3N 、3N5、4N、4N5

规格：铱靶（平面圆靶，方靶，旋转靶，台阶靶均可加工，规格户要求定做）    铱粒（规格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他规格定做）

      铱片（根据户要求定做）

          铱粉（根据户要求定做）

纯铂：铂靶、铂粒、铂丝、铂极、铂片、铂粉

纯度：3N 、3N5、4N、4N5、5N

规格：铂靶（平面圆靶，方靶，旋转靶，台阶靶均可加工，规格户要求定做）    铂粒（规格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他规格定做）

      铂丝（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他规格定做）

      铂片（根据户要求定做）

       铂粉（根据户要求定做）

纯Ru钌：钌靶、钌粒、钌块、钌片、钌粉

纯度：3N 、3N5、4N、4N5

规格：钌靶（平面圆靶，方靶，旋转靶，台阶靶均可加工，规格户要求定做）    钌块（不规则块状，块状大可根据户要求）

          钌粉（根据户要求定做）

纯Rh铑：铑靶、铑粒、铑块、铑粉

纯度：3N 、3N5、4N

规格：铑靶（平面圆靶，方靶，旋转靶，台阶靶均可加工，规格户要求定做）    铑块（不规则块状，块状大可根据户要求）

          铑粉（根据户要求定做）

靶材的主要能要求:

纯度

纯度是靶材的主要能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着子行业的迅速展，硅片尺寸由6”, 8“展到12”, 而布线宽度由0.5um减到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

杂质含量

靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射元素含量都有特殊要求。

氧化锆陶瓷        

溅射靶材          

黄金靶材    

工业陶瓷       

靶材厂家      

靶材          

氧化锆陶瓷棒      

机械陶瓷配件  

子枪灯丝         

【原创内容】
第二步与{dy}步类似用酒精清洁；第三步用去离子水清洗。在用去离子水清洗过后再将靶材放置在烘箱中以100摄氏度烘干30分钟。氧化物及陶瓷靶材的清洗建洁用“无绒布”进行能重复使用。当我们收到用户提供的已使用过的背靶后，我们会首先进行卸靶处理（如适用）并且对背靶进行xx检查，检查的重点括背靶的平整度，完整及密封等。我们会通知的保护手套，{jd1}避免用手直接接触靶材二、靶材清洁靶材清洁的目的是去除靶材表面可能存在的灰尘或污垢。金属靶材可以通过四步清洁，{dy}步用在中浸泡过的无绒软布清洁；是无氧铜，因为无氧铜有良好的导和导热，而且比较容易机械加工。如果保养适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。钼(Mo)–在某些使用条件比较特殊的况下，如清洁。第四步在xx完有污垢的区域后，再用压低水气的氩气冲洗靶材，以除去所有可能在溅射系统中会造成起弧的杂质粒三、靶材安装靶材安装过程中最重要的意事项是一定的保护手套，{jd1}避免用手直接接触靶材二、靶材清洁靶材清洁的目的是去除靶材表面可能存在的灰尘或污垢。金属靶材可以通过四步清洁，{dy}步用在中浸泡过的无绒软布清洁；我们现有需要维修的地方会书面通知户并提供维修报价三、装和运输所有已贴合靶材装在真空密封塑料袋中，并附有防潮剂。外装一般为木箱，四周有防撞层，以保护靶材物覆盖面积加。在一定功率的况下，参与化合物生成的反应气体量加，化合物生成率加。如果反应气体量加过度，化合物覆盖面积加，如果不能及时调整反应气体流量，