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选择华晶MOS管的正确方法正确选择华晶MOS管是很重要的一个环节。如果华晶MOS管选择的并不好。它可能会影响整个电路的效率和成本，了解华晶MOS的不同部分的细微差别和应力在不同的开关电路。了解不同的华晶MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。{dy}步：选用N沟道还是P沟道用于设计一个适当的装置中的{dy}步骤是使用N沟道或P沟道华晶MOS管。在典型的功率应用中，当一个的华晶MOS连接到地面，负载被连接到干线电压时，华晶MOS管构成的低电压侧开关。在开放区域的低压侧，有必要使用N沟道MOS管，这是由于关闭或需要在设备上切换到所需的电压。当华晶MOS管被连接到总线和负载接地，高电压侧开关被使用。通常会在这个拓扑中采用P沟道华晶MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。第二步：确定额定电流第二步是选择华晶MOS管的额定电流。根据电路的结构中，额定电流应是可以承受的载荷在所有情况下的{zd0}电流。类似的电压时，设计者必须确保所选择的华晶MOS管能承受额定电流，即使当系统产生一个峰值电流。这两种考虑到目前的情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式时，华晶MOS管处于稳定状态，并且电流通过器件。脉冲尖峰是指大量浪涌（或电流）通过装置。一旦{zd0}电流被确定，可以承受的{zd0}电流的{zd0}值的装置仅可用于直接选择。第三步：确定热要求在华晶MOS管的选择下一个步骤是计算系统的冷却需求。设计者必须考虑两种不同的情况，即，最差的和真实的情况。建议在最坏的情况下的结果被使用，因为该结果提供安全的更大的程度，以确保该系统也不会失败。也有应注意的华晶MOS管上的一些测量数据，如，半导体结和环境，和{zd0}结温度之间的热电阻。器件结温度等于热阻和功率耗散（结温度=的+电阻个电源耗散]{zg}环境温度）的{zg}环境温度和产物。根据等式，该系统的{zd0}功率耗散被定义，这等同于I 2 * RDS（ON）。由于设计人员已经被确定为{zd0}电流通过器件时，RDS（ON）可以在不同的温度来计算。值得注意的是，在处理用简单的热模型的过程中，设计者还必须考虑半导体结/设备壳和热容量的壳/环境;即，印刷电路板和包不会立即升温。产品基本资料：产品名称：华晶微电子；品牌商标：聚鼎丰；主营产品行业：工业品、电子元器件、三极管；公司注册地址：深圳市龙华新区龙华街道布龙公路与上塘路交汇处金地上塘道花园一栋一单元23C；
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