上海伯东日本原装进口离子蚀刻机 10 IBE
面议
10 IBE
基板尺寸
φ4 X 1wfr
样品台
直接冷却（水冷）0-90 度旋转
离子源
4 cm,8cm,10cm,16cm
均匀性
±5% for 4”Ф
硅片刻蚀率
20 nm/min
温度
<100
通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
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上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的离子蚀刻机, 一般通氩气 Ar, 内部使用美国 KRI KDC 40 产生轰击离子; 终点检出器采用 Pfeiffer 监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.
可选
伯东主要优点
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
10IBE 组成：
Hakuto 日本原装设计制造 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料,黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 和美国 !
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
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