该技术利用激光烧蚀沉积在氧化硅或者氮化硅上面的薄膜铝金属，实现低串联电阻的欧姆接触。由于背面电池采用了点接触的结构，金属复合大幅度减少，背面电池的钝化性能大幅度增加。该技术解决了传统电池背面复合高的缺陷。
电极是点接触形式，呈一定排列分布。
省去了在镀铝膜后的烧结工艺。
步骤少，用到化学试剂少，工艺简单。
节省成本，转换率相对较高。
Specification：
飞行光路，速度10,000 contacts/s
烧结深度：0.5-4μm
工作区域：125mm x 125 mm, 156mm x 156mm
开放式绝缘层
