SI2302 N沟道增强型功率MOSFET
该SI2302采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于电池保护或其它开关中的应用。
总体特征 ●VDS = 20V,id = 4A RDS(ON)<59mΩ@ VGS = 2.5V RDS(ON)< 45mΩ@ VGS = 4.5V ●高功率和电流处理能力 ●无铅产品获得 ●表面贴装封装。
应用 ●电池保护 ●负荷开关 ●电源管理