厂家直销全新原装MOS场效应管SI2302

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    深圳市浩畅半导体有限公司

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    SI2302  N沟道增强型功率MOSFET

    SI2302采用先进的沟槽技术,提供优良的RDSON),低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于电池保护或其它开关中的应用。

    总体特征
    ●VDS = 20V
    id = 4A
    RDS
    ON)<59mΩ@ VGS = 2.5V
    RDS
    ON< 45mΩ@ VGS = 4.5V
    高功率和电流处理能力
    无铅产品获得
    表面贴装封装。

    应用
    电池保护
    负荷开关
    电源管理

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