砷化镓单晶棒 北京特博万德科技有限公司
面议
|
生长方法 |
VB |
|
|
|
导电类型 |
N型 |
|
|
|
掺杂元素 |
Si |
|
|
|
直径 |
2-4 |
英寸 |
|
|
方向 |
(100) 150 ± 10′off toward〈111〉A |
|
|
|
载流子浓度 |
Min: 0.2 E18 |
Max: 4.0 E18 |
/cm3 |
|
电阻率 |
Min: 0.8 E-3 |
Max: 9.0 E-3 |
Ohm.cm |
|
迁移率 |
≥ 1800 |
cm2/v.s |
|
|
位错密度 |
≤ 3500 |
/cm2 |
|
其他规格可按客户要求提供
