英飞凌IGBT

IGBT 特点
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
☆参数离散性小,便于批量使用
☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有{zy}的性能比
☆型号中电流按Tc=100℃时标称,有效使用电流大
☆600V IGBT单管{zd0}工作结温可达Tjmax≤175℃,其他品牌都是150°C
☆内置反并联软、快恢复(Emcon){gx}二极管,且容量与IGBT容量一致,工业级.
☆正温被系数饱和压降易于并联使用
二．英飞凌IGBT模块(电流均为80度高温条件下测试标定)
1、两单元 IGBT 600V系列(30KHZ高频)
BSM50GB60DLC 50A/600V/2U Vcesat=2.1V
FF200R06KE3
FF300R06KE3
FF400R06KE3 400A/600V/2U
两单元 IGBT 1200V系列
BSM50GB120DN2/DLC
FF200R17KE3
FF300R17KE3
2、功率集成模块 PIM (三相桥+七单元+温度传感器)
FP10R12YT3
FP75R12KE3/ K T 3
3、四单元 IGBT 600V/1200系列(H桥40KHZ高频)
F4―50R12KS4 50A/1200V/4U+温度检测电阻NTC
4、一单元 IGBT 1200V/1700V系列
BSM300GA170DLS
FZ600R17KE3
5、六单元 IGBT
(低饱和压降、高速型)
FS50R12KT3
FS75R12KT3
FS150R12KT3
三．英飞凌IGBT整流用快恢复二极管:
电流电压
型号 (90℃测试) VF 封装形式
专利二极管不同于其他品牌的:
☆600V{zg}工作结温高达Tjmax≤175℃,高温特性好
☆正向导通压降极低600V ,VF = 1.5V;1200V ,VF = 1.65V
☆VF基本不变,甚至为正温度系数.在高温条件下不明显的增大一点,所以易于并联.
负温度系数VF,则不利于并联.
注：焊接电源中二次整流:IDW100E60 两只并联替代一只 MURP20040CT,类推  

如您对我们的产品有兴趣，请与我们联系或打电话查询。欢迎登录我们的网站：很期望与您合作！
http://www.power-sem.com   MSN：songleizuo@hotmail.com
Tel：134 6669 2554  
Fax：+86-010-62195633   联系人：左松雷
手机：134 6669 2554
地址：北京市海淀区中关村南大街34号，中关村科技发展大厦C座1902室。