最小起订量：0 计量单位：件 产品单价：询价 供货总量：1000
KRI 考夫曼 KDC 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼 KDC 40: 小型低成本直流栅极. KDC 40 是 3cm 考夫曼型升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼 KDC 40 技术参数
|
型号
|
KDC 40
|
|
供电
|
DC magnetic confinement
|
|
- 阴极灯丝
|
1
|
|
- 阳极电压
|
0-100V DC
|
|
电子束
|
OptiBeam™
|
|
- 栅极
|
专用, 自对准
|
|
-栅极直径
|
4 cm
|
|
中和器
|
灯丝
|
|
电源控制
|
KSC 1202
|
|
配置
|
-
|
|
- 阴极中和器
|
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
|
|
- 架构
|
移动或快速法兰
|
|
- 高度
|
6.75'
|
|
- 直径
|
3.5'
|
|
- 离子束
|
集中
平行
散设
|
|
-加工材料
|
金属
电介质
半导体
|
|
-工艺气体
|
惰性
活性
混合
|
|
-安装距离
|
6-18”
|
|
- 自动控制
|
控制4种气体
|
* 可选: 可调角度的支架
KRI 考夫曼 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
伯东版权所有, 翻拷必究!