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KRi RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRi RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.
KRI RFICP 220 技术参数:
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阳极
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电感耦合等离子体
2kW & 2 MHz
射频自动匹配
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阳极功率
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>1kW
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离子束流
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> 1000mA
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电压范围
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100-1200V
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离子束动能
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100-1200eV
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气体
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Ar, O2, N2, 其他
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流量
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5-50 sccm
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压力
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< 0.5mTorr
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离子光学, 自对准
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OptiBeamTM
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离子束栅极
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22cm Φ
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栅极材质
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钼
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离子束流形状
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平行,聚焦,散射
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中和器
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LFN 2000, MHC 1000
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高度
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30 cm
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直径
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41 cm
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锁紧安装法兰
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10”CF
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KRI RFICP 220 基本尺寸
KRI RFICP 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 中国总代理.
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