考夫曼离子源创始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美国出生, 1951年加入美国 NASA 路易斯研究中心, 60年代 考夫曼博士发明了电子轰击离子推进器并以他的名字命名(考夫曼推进器). 1969年美国航空航天学会 AIAA 授予他 James H. Wyld 推进奖, 1970年考夫曼推进器赢得了IR 100 (前身研发100奖), 1971年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖.
2016年, 美国 NASA 宇航局将 Harold Kaufman 博士列入格伦研究中心名人堂
1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国科罗拉多州的柯林斯堡创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 简称 KRI, 研发生产商用宽束离子源和电源控制器. 为世界各地的高科技企业,真空系统设备商和研究机构提供先进的解决方案. 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
KRI 离子源主要产品
上海伯东美国 KRI 离子源是以真空为基础的加工工具, 在原子水平上与材料相互作用, 适用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 等, KRI 提供无栅极离子源和栅极离子源, 类型包含, , 和电源控制器, 共计超过 25种规格, 全球累积销售 3500+ 台!
RFICP 系列技术规格:
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型号
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Discharge 阳极
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RF 射频
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RF 射频
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RF 射频
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RF 射频
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RF 射频
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离子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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离子动能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
|
100-1200 V
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栅极直径
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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|
典型压力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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长度
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12.7 cm
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23.5 cm
|
24.6 cm
|
30 cm
|
39 cm
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直径
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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KDC 系列技术规格:
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型号
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Discharge 阳极
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DC 电流
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DC 电流
|
DC 电流
|
DC 电流
|
DC 电流
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离子束流
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>10 mA
|
>100 mA
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>250 mA
|
>400 mA
|
>650 mA
|
|
离子动能
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
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栅极直径
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1 cm Φ
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4 cm Φ
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7.5 cm Φ
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12 cm Φ
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16 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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1-5 sccm
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2-10 sccm
|
2-15 sccm
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2-20 sccm
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2-30 sccm
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|
通气
|
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
|
典型压力
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
|
长度
|
11.5 cm
|
17.1 cm
|
20.1 cm
|
23.5 cm
|
25.2 cm
|
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直径
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4 cm
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9 cm
|
14 cm
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19.4 cm
|
23.2 cm
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中和器
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灯丝
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eH 系列技术规格:
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型号
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Cathode/Neutralizer
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F or HC
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F or HC
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F or HC
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F or HC
HC
HC
|
HC
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阳极电压
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50-300V
30-150V
|
50-300V
30-150V
50-300V
|
100-300V
|
50-300V
30-150V
50-250V
|
50-250V
50-300V
50-250V
|
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电流
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5A
10A
|
10A
12A
5A
|
10A
|
10A
15A
15A
|
20A
10A
15A
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散射角度
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>45
|
>45
|
>45
|
>45
|
>45
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气体流量
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2-25sccm
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2-50sccm
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2-50sccm
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2-75sccm
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5-100sccm
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高度
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3.0“
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4.0“
|
4.0“
|
4.0“
|
6.0“
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直径
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3.7“
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5.7“
|
5.7“
|
5.7“
|
9.7“
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水冷
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可选
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可选
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可选
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是
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可选
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KRI 离子源主要应用
作为一种新兴的材料加工技术, 上海伯东美国 KRI 考夫曼凭借出色的技术性能, 协助您获得理想的薄膜和材料表面性能. 美国 KRI 考夫曼主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
离子清洗和辅助镀膜: 霍尔离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和辅助镀膜
离子清洗和溅射镀膜: 射频离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和溅射镀膜
在高倍显微镜下检视脱膜测试
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测试结果
--------- 使用其他品牌离子源--- --------------------- 使用美国考夫曼 KRI RFICP 325 离子源 ----------------------
从上图可以清楚看出, 使用其他品牌离子源, 样品存在崩边的问题; 使用上海伯东美国 KRI 离子源, 样品无崩边
多项专利
美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专 利, 在此领域中, KRI 离子源是公认的, KRI 团队成员撰写了超过 100篇文章, 出版物, 书籍和技术论文,为推进宽波束设备和材料加工领域行业的知识体系做出贡献!
上海伯东是美国考夫曼 Kaufman & Robinson, Inc 中国总代理. 美国考夫曼公司已广泛应用于离子溅射镀膜 IBSD. 考夫曼可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼可依客户溅射工艺条件选择 RFICP 射频电源式考夫曼或是 KDC 直流电原式考夫曼.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
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