在进行镀膜等工艺之前, 对原样品的表面平整度/洁净程度等参数会有不同的要求. 对于不达标的样品需要进行前处理, KRI霍尔离子源可以很好的解决这类的问题.
KRI霍尔离子源可以在低功耗的情况下进行大电流的工作, 很好的处理样品的清洁度/和平整度; 可以根据不同的工艺要求来控制样品表面的光滑/粗糙程度; 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 达到清洗前处理的作用.
稳定工艺并提高产品产量. KRI离子源清洗在在真空室中进行, 基板表面清洁后可以立即沉积, 短停留时间暴露于真空背景清洁并活化基材表面比辉光放电更清洁, 生产率更高; 无需基板偏置/无需高压, 消了大多数腔室壁的溅射, 没有额外的抽空, 很好地提高了整体工艺的效率与质量.
中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司客户选用KRI EH1000型霍尔离子源组装磁控溅射设备对聚氨酯类的材料进行清洗前处理.
离子源清洗样品的示意图:
KRI eH 1000 特性:
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷
• 效的等离子转换和稳定的功率控制
KRI eH 1000 技术参数:
型号
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eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
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供电
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DC magnetic confinement
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- 电压
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40-300V VDC
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- 离子源直径
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~ 5 cm
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- 阳极结构
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模块化
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电源控制
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eHx-30010A
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配置
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-
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- 阴极中和器
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Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
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- 离子束发散角度
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> 45° (hwhm)
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- 阳极
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标准或 Grooved
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- 水冷
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前板水冷
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- 底座
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移动或快接法兰
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- 高度
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4.0'
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- 直径
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5.7'
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- 加工材料
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金属
电介质
半导体
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- 工艺气体
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Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
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- 安装距离
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10-36”
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- 自动控制
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控制4种气体
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* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
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