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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
高功率应用兴起带来的挑战们 满足工业动力驱动或电动汽车不断增长的功率需求。伺服电动机或洗衣机中的工业电机驱动器已经开始普及。处理功率超过3千瓦的通用逆变器（gpi）越来越普遍。而且，电动汽车开始采用高压电池（从400伏到800伏，甚至更高），从而为hvac使用新的功率拓扑打通了基础。 传统上，会利用一个智能功率模块，该模块主要将igbt和二 管与下桥和上桥栅 驱动器结合在一起。这样的集成器件简化了pcb布局，占用了更少的空间，提高了性，提高了效率，并缩短了上市时间。然而，当今市场上几乎没有针对在新型高压电池上运行的ipm产品。同样，只有少数ipm应用于中高功率工业平台。因此，例如用于hvac或伺服电动机的压缩机的ipm将是复杂且昂贵的。 L78L05ACD13TR STMPS2171STR UC2844BD1013TR L4931ABD50-TR LD59100PUR ST1S09IPUR LM317LD13TR MC34063EBD-TR ST1L05BPUR TSM1052 STM1061N26WX6F UC3842BD1013TR STPS6M100DEE-TR STPS20M100SG-TR STPS5H100BY-TR STPS745G-TR STPS140AY STTH2R02AFY STTH3L06S STTH2L06A STTH5L06 STTH30RQ06W STTH310RL STTH30RQ06G-TR